4283组
性能概述
参数
基本指令数
内存容量ROM
内存
输入/输出
端口
D
0
–D
3
产量
D
4
–D
7
I / O
E
0
–E
2
输入
E
0
, E
1
产量
G
0
–G
3
I / O
CARR输出
定时器
定时器1
定时器2
子程序嵌套
设备结构
包
工作温度范围
电源电压
动力
耗散
主动模式
68
2048字
✕
9位
64个字
✕
4位
四个独立的输出端口
与下拉功能四个独立的I / O端口
用下拉功能3位输入端口
2位输出端口（E
0
, E
1
)
与下拉功能的4位I / O端口
1位输出端口; CMOS输出
8位定时器，再装入寄存器
8位定时器， 2个再装入寄存器
4级（但是，在执行TABP p指令时只有3个级别都可以使用）
CMOS硅栅
20引脚塑封成型SSOP （ 20P2F -A ）
-20 ° C至85°C
1.8 V至3.6 V
400
µA
（F （X
IN
） = 4.0 MHz的系统时钟= F（X
IN
)/8, V
DD
= 3 V)
功能
最小指令执行时间8.0
µ
S（ F（X
IN
） = 4.0 MHz的系统时钟= F（X
IN
)/8, V
DD
= 3 V)
（典型值） RAM备份模式0.1
µ
A（ TA = 25 ° C，V
DD
= 3 V)
引脚说明
针
V
DD
V
SS
X
IN
X
OUT
D
0
–D
3
D
4
–D
7
名字
电源
地
系统时钟输入
系统时钟输出
输出D口
I / O端口D
输入/输出
—
—
输入
产量
产量
I / O
连接到一个加电源。
连接到0 V电源。
我的系统时钟产生电路的输入/输出管脚。连接陶瓷谐振器
销X之间
IN
和X
OUT
。反馈电阻内置销X之间
IN
和X
OUT
.
D口的每个引脚具有独立的1位输出功能。输出
结构是P沟道开漏。
1位I / O口。对于投入使用，为“0 ”当内置设置指定位的锁存器
在下拉晶体管导通时，使用该键唤醒功能的“H”电平
感和下拉晶体管有效。输出形式为P沟道
漏极开路。
E
0
–E
2
I / O E口
产量
输入
2位（E
0
, E
1
）输出端口。输出形式为P沟道开漏。
3位的输入端口。对于投入使用（E
0
, E
1
） ，设置指定位的锁存器为“ 0”。
当内置的下拉晶体管导通时，该键唤醒功能
用“ H”电平感和下拉晶体管有效。端口E
2
有
输入端口，并且具有使用键唤醒功能的“H”电平检测和上拉
下拉晶体管。
G
0
–G
3
I / O G口
I / O
4位I / O口。用于输入使用时，设置指定的位为“0”的输出形式的闩锁
是P沟道开漏。当内置的下拉晶体管导通时，所述键盘
上使用的“H”电平感和下拉晶体管有效唤醒功能。
CARR
载波输出
远程控制
产量
载波输出引脚进行远程控制。输出形式为CMOS电路。
功能
Rev.1.01二零零六年三月二十日
REJ03B0109-0101
第62 4
RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
