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HM628512CLFP-7 参数 Datasheet PDF下载

HM628512CLFP-7图片预览
型号: HM628512CLFP-7
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内容描述: 的4M SRAM( 512千字“ 8比特)的 [4 M SRAM (512-kword ´ 8-bit)]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 19 页 / 109 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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HM628512C系列
DC特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流: DC
工作电源
电源电流
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
I
CC
典型*
1
最大
1.5
8
1
1
3
25
单位
µA
µA
mA
mA
测试条件
VIN = V
SS
到V
CC
CS
= V
IH
or
OE
= V
IH
or
WE
= V
IL
, V
I / O
= V
SS
到V
CC
CS
= V
IL
,
其他= V
IH
/V
IL
, I
I / O
= 0毫安
闵周期,占空比= 100 %
CS
= V
IL
,其他= V
IH
/V
IL
I
I / O
= 0毫安
循环时间= 1
µs,
占空比= 100 %
I
I / O
= 0 mA时,
CS
0.2 V
V
IH
V
CC
– 0.2 V, V
IL
0.2 V
CS
= V
IH
VIN
0 V,
CS
V
CC
– 0.2 V
HM628512C -5-我
CC1
HM628512C - 7我
CC1
工作电源电流
I
CC2
7
2
25
5
mA
mA
备用电源电流: DC
I
SB
0.1
0.8*
2
0.8*
3
0.5
20*
2
10*
3
0.4
mA
µA
µA
V
V
备用电源电流( 1 ) : DC I
SB1
输出低电压
输出高电压
V
OL
V
OH
2.4
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
注:1。典型值是在V
CC
= 5.0 V ,TA = + 25 ° C和指定的加载,并不能保证。
2.该特征仅对于L版保证。
3.该特征仅对于L -SL版本保证。
电容
( TA = + 25 ° C,F = 1兆赫)
参数
输入电容*
1
输入/输出电容*
1
符号
CIN
C
I / O
典型值
最大
8
10*
2
单位
pF
pF
测试条件
VIN = 0 V
V
I / O
= 0 V
注:1。该参数进行采样,而不是100 %测试。
2. C
I / O
MAX = 12 pF的只为HM628512CLP系列。
6