项
9.12.2寄存器配置
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修订(见手册详细)
注意补充
端口E MOS上拉控制寄存器( PEPCR ) (片上ROM
版本)
位
:
7
6
5
4
3
2
1
0
PE7PCR PE6PCR PE5PCR PE4PCR PE3PCR PE2PCR PE1PCR PE0PCR
初始值:
读/写
注意:
:
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
严禁在H8S / 2352 , H8S / 2394 , H8S / 2392和H8S / 2390的设置。
10.4.5级联操作
级联的Figure10-23例
操作( 2)
10.7使用说明
图10-57之间的竞争
TCNT写和溢出
11.3.1概述
图11-2 PPG输出操作
383
图10-23修正
(前) TCLKA
→
(后) TCLKC
(前) TCLKB
→
(后) TCLKD
409
图10-57修正
TCFV标志
被禁止
423
图11-2修正
DDR
14.2.8比特率寄存器( BRR )
表14-4 BRR设置不同
比特率(时钟同步
模式)
19.15.1特点
481
注意删除表格的表14-4
619
•
重新编程能力
修订说明
根据产品的不同,最大次数的闪光
内存可以被重新编程为100或1000 。
可重新编程的高达100倍: HD64F2398TE , HD64F2398F
可重复编程的1000倍: HD64F2398TET ,
HD64F2398FT
二十四的Rev.6.00 Oct.28.2004第v
REJ09B0138-0600H