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1.1概述
表1-1概述
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5
修订(见手册详细)
产品阵容
HD64F2398F20T*
3
和HD64F2398TE20T *
3
额外
5V版本
F- ZTAT
版本*
HD64F2357F20
HD64F2357TE20
HD64F2398F20
HD64F2398TE20
HD64F2398F20T
*
3
HD64F2398TE20T*
3
注3中添加如下
注: 3.对于HD64F2398F20T和HD64F2398TE20T而已,
次闪速存储器可以被重新编程的最大数目是
1,000.
4.1.3异常向量表
72
修订说明
在模式6和7的片上ROM ......在这种情况下,清除EAE
在BCRL位使能128千字节( 256字节) *区域包括
地址H'000000到H'01FFFF ( H'03FFFF ) *所使用。
6.6.1当DDS = 1
图6-28
DACK
输出时序
当DDS = DRAM的1 (实施例
访问)
149
图6-28修正
HWR ,
(WE)
写
D
15
到D
0
6.6.2当DDS = 0
图6-29
DACK
输出时序
当DDS = DRAM 0 (例
访问)
150
图6-29修正
HWR ,
(WE)
写
D
15
到D
0
6.8.2使用注意事项
图空闲周期的6-35 (一)示例
操作RAS断模式( ICIS1
= 1)
空闲周期的图6-35 ( b)将实例
操作RAS断模式( ICIS0
= 1)
156
图6-35 (一)修订
外部读
T
I
T
1
T
2
T
3
DRAM
T
cI
图6-35 (二)修订
外部读
T
I
T
1
T
2
T
3
DRAM
T
cI
二十四的Rev.6.00 Oct.28.2004三页
REJ09B0138-0600H