在S-型面膜的注意事项
（单电源的规格）
还有的H8 / 3337F的带有片上闪存的两个版本：一个双电源版本
和单电源（S-掩模）的版本。使用H8 / 3337F单时应当注意点
电源的S-掩模模型如下。
1.
在电压应用的注意事项
12伏不能应用于S -掩模模型（单电源规格） ，因为这可能会
永久性损坏设备。
对于S-面具模型的flash存储器编程电源（单电源
规范）为V
CC
。对于双电源模式编程电源是FV
PP
销（ 12伏），但单电源模型（S-掩模模型）不具有的FV
PP
引脚。
另外，在引导模式， 12 V可以施加到MD
1
脚在双电源模式，但12
V应用是没有必要的，在单电源模型（S-掩模模型）。
在MD的最大额定值
1
引脚为V
CC
+0.3 V.施加电压超过了
最大额定值会永久损坏设备。
不要选择HN28F101编程设置为S-面具模型（单电源
规范）。如果此设置错误制成， 12V的将被施加到待机引脚，可能
导致器件的永久性损坏。
当使用PROM编程器进行编程，在S-面具模型的片上闪存
（单电源规格） ，使用支持日立PROM编程
微型计算机设备与64 KB的片上闪存。此外，只能使用指定的套接字
适配器。使用错误的PROM编程器或插座适配器可能会损坏设备。
下面PROM编程器支持S-面具模型（单电源
特定网络阳离子） 。
数据I / O ： UNISITE ， 2900 ， 3900 ，等等。
凑： 1892年， 1891年， 1890年等。
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