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HAT2166H-EL-E 参数 Datasheet PDF下载

HAT2166H-EL-E图片预览
型号: HAT2166H-EL-E
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内容描述: 硅N通道功率MOS FET电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching]
分类和应用: 开关电源开关
文件页数/大小: 8 页 / 89 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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HAT2166H
主要特点
功率与温度降额
40
500
100
10
0
µ
s
s
10
µ
最高安全工作区
P沟(W)的
I
D
(A)
30
散热通道
10
20
漏电流
PW
1 m
DC
= 1
s
Op
0 m
ERA
s
TIO
n
10
1在操作
这个区域是
限于由R
DS ( ON)
0.1
TC = 25°C
1次脉冲
0.3
1
3
10
30
100
0
50
100
150
200
0.01
0.1
外壳温度
TC ( ℃)
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
50
10 V
4.5 V
脉冲测试
50
2.7 V
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
2.6 V
30
2.5 V
20
2.4 V
2.3 V
V
GS
= 2.2 V
I
D
(A)
漏电流
40
40
30
漏电流
20
10
10
TC = 75℃
25°C
-25°C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
250
脉冲测试
200
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
10
脉冲测试
漏极至源极电压V
DS ( ON)
(毫伏)
I
D
= 50 A
150
5
V
GS
= 4.5 V
100
20 A
10 A
10 V
2
50
1
1
3
10
30
100
300
1000
0
4
8
12
16
20
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.6.00 2005年9月20日第3页7