HAT2165H-EL-E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HAT2165H-EL-E
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内容描述：	硅N通道功率MOS FET电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching]
分类和应用：	晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
文件页数/大小：	8 页 / 89 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

HAT2165H

主要特点

功率与温度降额

500

100

= 1

0 m

ERA

TIO

最高安全工作区

P沟（W）的

(A)

散热通道

漏电流

1在操作

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

0.1

0.01

0.1

TC = 25°C

1次脉冲

0.3

100

150

200

外壳温度

TC （ ℃）

漏源极电压

(V)

典型的输出特性

100

10 V

4.5 V

脉冲测试

100

3.0 V

典型的传输特性

= 10 V

脉冲测试

(A)

2.8 V

(A)

漏电流

2.6 V

25°C

TC = 75℃

-25°C

漏电流

2.4 V

= 2.2 V

漏源极电压

(V)

栅极至源极电压

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

漏极至源极电压V

DS （ ON）

（毫伏）

250

脉冲测试

200

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

脉冲测试

= 4.5 V

10 V

150

= 50 A

100

20 A

10 A

100

300

1000

栅极至源极电压

(V)

漏电流

(A)

Rev.6.00 2005年9月20日第3页7

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