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HAT2167H-EL-E 参数 Datasheet PDF下载

HAT2167H-EL-E图片预览
型号: HAT2167H-EL-E
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内容描述: 硅N通道功率MOS FET电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching]
分类和应用: 开关电源开关
文件页数/大小: 8 页 / 89 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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HAT2167H
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
10
脉冲测试
8
V
GS
= 4.5 V
6
10 A, 20 A, 50 A
10 V
2
0
-25
I D = 50 A
10 A, 20 A
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | ( S)
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.1
0.3
1
3
V
DS
= 10 V
脉冲测试
10
30
100
TC = -25°C
25°C
75°C
4
0
25
50
75
100 125 150
外壳温度
Tc
(°C)
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
10000
3000
1000
科斯
300
CRSS
100
30
10
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
5
10
15
20
25
30
西塞
体漏二极管的反向
恢复时间
反向恢复时间trr ( NS )
100
50
20
的di / dt = 100 A / μs的
V
GS
= 0 , TA = 25℃
0.3
1
3
10
30
100
10
0.1
反向漏电流
I
DR
(A)
电容C (PF )
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
开关特性
V
DS
(V)
I
D
= 30 A
V
DD
= 25 V
10 V
5V
V
DS
V
GS
V
GS
(V)
50
20
1000
40
16
开关时间t( NS )
300
100
30
TD (上)
10
tf
3
1
0.1
V
GS
= 10 V, V
DS
= 10 V
RG = 4.7
Ω,
1 %
0.3
1
3
10
30
100
TD (关闭)
tr
漏源极电压
30
12
20
8
10
0
0
20
V
DD
= 25 V
10 V
5V
40
60
80
4
0
100
栅极至源极电压
栅极电荷
QG ( NC )
漏电流
I
D
(A)
Rev.5.00 2005年9月20日第4 7