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    HAT2114RJ 参数 Datasheet PDF下载

    HAT2114RJ图片预览
    型号： HAT2114RJ
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道功率MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching]
    分类和应用： 开关电源开关
    文件页数/大小： 10 页 / 109 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号HAT2114RJ的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HAT2114RJ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HAT2114RJ的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HAT2114RJ的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HAT2114RJ的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HAT2114RJ的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HAT2114RJ的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HAT2114RJ的Datasheet PDF文件第9页  
    HAT2114R ， HAT2114RJ
    主要特点
    功率与温度降额
    4.0
    P沟（W）的
    最高安全工作区
    100
    30
    (A)
    测试条件。
    当使用玻璃环氧基板。
    （ FR4 40 ×40× 1.6毫米） ， （ PW
    ≤
    10s)
    10
    10
    PW
    µ
    s
    3.0
    10
    3
    1
    0.3
    DC
    Op
    e
    RAT
    离子
    散热通道
    漏电流I
    D
    =1
    1m
    0
    µ
    s
    s
    s
    0m
    2.0
    1
    Dr
    香港专业教育学院
    2
    1.0
    Op
    香港专业教育学院
    Dr
    a
    er
    Op
    n
    TIO
    (P
    W
    No
    操作
    0.1
    ＆ LT ; 1
    te
    这个区域是
    0s
    6
    )
    限于由R
    DS （ ON）
    0.03
    er
    at
    离子
    0
    50
    100
    外壳温度
    150
    的Ta （℃）
    200
    0.01 TA = 25℃
    0.003 1次脉冲
    1驱动器操作
    0.001
    0.1 0.3
    1
    3
    10
    漏源极电压
    30
    100
    V
    DS
    (V)
    注6：当使用玻璃环氧基板
    （ FR4 40
    ×
    40
    ×
    1.6 mm)
    典型的输出特性
    10
    10 V
    4V
    (A)
    典型的传输特性
    10
    V
    DS
    = 10 V
    脉冲测试
    (A)
    漏电流I
    D
    脉冲测试
    8
    8
    漏电流I
    D
    6
    3V
    4
    6
    4
    TC = 75℃
    2
    25°C
    −25°C
    0
    1
    2
    3
    栅极至源极电压
    4
    5
    V
    GS
    (V)
    2
    V
    GS
    = 2.5 V
    0
    2
    4
    6
    漏源极电压
    8
    10
    V
    DS
    (V)
    Rev.1.00 ， Oct.06.2003 ， 9 4页

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