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    HAT2096H-EL-E 参数 Datasheet PDF下载

    HAT2096H-EL-E图片预览
    型号： HAT2096H-EL-E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N通道功率MOS FET电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
    文件页数/大小： 7 页 / 85 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号HAT2096H-EL-E的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HAT2096H-EL-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HAT2096H-EL-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HAT2096H-EL-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HAT2096H-EL-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HAT2096H-EL-E的Datasheet PDF文件第7页  
    HAT2096H
    主要特点
    功率与温度降额
    40
    500
    100
    10
    最高安全工作区
    P沟（W）的
    10
    0
    µ
    s
    I
    D
    (A)
    µ
    s
    30
    散热通道
    10
    20
    漏电流
    1
    Op
    0
    ERA
    ms
    TIO
    n
    操作
    这个区域是
    限于由R
    DS （ ON）
    DC
    PW
    =1
    1m
    s
    10
    0.1
    TC = 25°C
    1次脉冲
    0
    0
    50
    100
    150
    200
    0.01
    0.1
    0.3
    1
    3
    10
    30
    100
    外壳温度
    TC （ ℃）
    漏源极电压
    V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    50
    10 V
    4.5 V
    50
    3.5 V
    脉冲测试
    典型的传输特性
    V
    DS
    = 10 V
    脉冲测试
    (A)
    (A)
    I
    D
    3V
    40
    40
    I
    D
    30
    30
    漏电流
    20
    漏电流
    20
    25°C
    TC = 75℃
    10
    –25°C
    0
    10
    V
    GS
    = 2.5 V
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    漏源极电压
    V
    DS
    (V)
    栅极至源极电压
    V
    GS
    (V)
    漏极至源极饱和电压与
    栅极至源极电压
    V
    DS （ ON）
    (V)
    脉冲测试
    0.16
    静态漏极至源极通态电阻
    与漏电流
    漏极至源极导通电阻
    R
    DS （ ON）
    (mΩ)
    100
    脉冲测试
    50
    0.20
    漏源极电压
    0.12
    20
    10
    5
    10 V
    2
    1
    0.1 0.2 0.5 1
    V
    GS
    = 4.5 V
    0.08
    I
    D
    = 10 A
    5A
    2A
    0
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    0.04
    2
    5 10 20
    50 100
    栅极至源极电压
    V
    GS
    (V)
    漏电流
    I
    D
    (A)
    Rev.4.00 2005年9月7日第3页6

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