HAT1026R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HAT1026R
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内容描述：	硅P沟道功率MOSFET高速电源开关 [Silicon P Channel Power MOSFET High Speed Power Switching]
分类和应用：	晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
文件页数/大小：	7 页 / 89 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

HAT1026R

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳| YFS | （ S）

0.10

脉冲测试

0.08

= –1, –2, –5 A

0.06

= –4 V

0.04

–1, –2, –5 A

0.02

–10 V

–40

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(Ω)

正向转移导纳主场迎战

漏电流

TC = -25°C

75°C

0.5

–0.2

= –10 V

脉冲测试

–0.5

–1

–2

–5

–10 –20

25°C

120

160

外壳温度

TC （ ℃）

漏电流I

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

10000

3000

1000

300

CRSS

100

体漏二极管的反向

恢复时间

500

反向恢复时间trr （ NS ）

电容C （PF ）

200

100

西塞

科斯

–0.1 –0.2

的di / dt = 20A /

µs

= 0 ， TA = 25℃

–0.5

–1

–2

–5

–10

= 0

F = 1 MHz的

–10

–20

–30

–40

–50

反向漏电流

(A)

漏极至源极电压V

(V)

动态输入特性

(V)

= –5 V

–10 V

–25 V

–30

= –25 V

–10 V

–5 V

= –7 A

–12

开关特性

(V)

1000

500

–10

–4

漏源极电压

开关时间t（ NS ）

栅极至源极电压

–20

–8

200

100

TD （关闭）

TD （上）

= –4 V, V

= –10 V

PW = 3

µs,

税

≤

1 %

–0.5

–1

–2

–5

–10

–40

–16

–0.1 –0.2

–50

–20

栅极电荷

QG （ NC ）

漏电流

(A)

Rev.10.00 2005年9月7日第4 6

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