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    HAT1025R 参数 Datasheet PDF下载

    HAT1025R图片预览
    型号： HAT1025R
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅P沟道功率MOS FET高速电源开关 [Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 97 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号HAT1025R的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HAT1025R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HAT1025R的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HAT1025R的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HAT1025R的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HAT1025R的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HAT1025R的Datasheet PDF文件第8页  
    HAT1025R
    主要特点
    功率与温度降额
    4.0
    最高安全工作区
    –100
    –30
    10
    µs
    P沟（W）的
    I
    D
    (A)
    测试条件：
    当使用玻璃环氧基板
    （ FR4 40
    ×
    40
    ×
    1.6毫米） ， PW
    ≤
    10 s
    100
    µs
    3.0
    –10
    –3
    –1
    –0.3
    –0.1
    散热通道
    2.0
    1
    Dr
    香港专业教育学院
    1.0
    Op
    er
    漏电流
    10
    Op
    ERA
    ms
    TIO
    n(
    PW
    不
    操作
    ≤
    1
    e5
    这个区域是
    0s
    )
    限于由R
    DS （ ON）
    DC
    PW
    1m
    =
    s
    2
    Dr
    香港专业教育学院
    Op
    at
    at
    er
    离子
    离子
    0
    0
    50
    100
    150
    200
    TA = 25°C
    -0.03 1次脉冲
    1驱动器操作
    –0.01
    –1
    –3
    –0.1 –0.3
    –10
    –30
    –100
    环境温度
    的Ta （℃）
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    注5 ：
    当使用玻璃环氧基板
    （ FR4 40
    ×
    40
    ×
    1.6 mm)
    典型的输出特性
    –20
    –10 V
    –20
    –3.5 V
    典型的传输特性
    I
    D
    (A)
    I
    D
    (A)
    –16
    –5 V
    –4 V
    TC = -25°C
    –16
    25°C
    75°C
    脉冲测试
    –3 V
    –12
    –12
    漏电流
    –8
    漏电流
    –2.5 V
    –2 V
    V
    GS
    = –1.5 V
    –8
    –4
    –4
    V
    DS
    = –10 V
    脉冲测试
    0
    0
    –1
    –2
    –3
    –4
    –5
    0
    0
    –2
    –4
    –6
    –8
    –10
    漏源极电压
    V
    DS
    (V)
    栅极至源极电压
    V
    GS
    (V)
    漏极至源极饱和电压与
    栅极至源极电压
    漏极至源极导通电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    漏极至源极饱和电压
    V
    DS （ ON）
    (V)
    –0.5
    脉冲测试
    静态漏极至源极通态电阻
    与漏电流
    1
    脉冲测试
    0.5
    –0.4
    0.2
    V
    GS
    = –2.5 V
    0.1
    0.05
    –4 V
    –0.3
    –0.2
    I
    D
    = –2 A
    –0.1
    –1 A
    –0.5 A
    0.02
    0.01
    –0.2
    0
    0
    –2
    –4
    –6
    –8
    –10
    –0.5
    –1
    –2
    –5
    –10
    –20
    栅极至源极电压
    V
    GS
    (V)
    漏电流
    I
    D
    (A)
    Rev.10.00 2005年9月7日第3页7

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