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    FY7BCH-02B 参数 Datasheet PDF下载

    FY7BCH-02B图片预览
    型号： FY7BCH-02B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 三菱功率MOSFET的高速开关使用N沟道功率MOSFET [MITSUBISHI POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE Nch POWER MOSFET]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 6 页 / 80 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号FY7BCH-02B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FY7BCH-02B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FY7BCH-02B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FY7BCH-02B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FY7BCH-02B的Datasheet PDF文件第6页  
    三菱功率MOSFET
    .
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    NGE 。
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    一些
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    AR
    IMIN
    REL
    Y
    FY7BCH-02B
    高速开关使用
    N沟道功率MOSFET
    电气特性
    （总胆固醇= 25 ℃）下
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    GS （ TH）
    r
    DS （ ON）
    r
    DS （ ON）
    V
    DS （ ON）
    y
    fs
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    SD
    R
    第（章-a）的
    t
    rr
    参数
    漏源击穿电压
    栅极 - 源极漏电流
    漏极 - 源极漏电流
    门源阈值电压
    漏源通态电压
    I
    D
    = 1mA时， V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    =
    ±10V,
    V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = 20V, V
    GS
    = 0V
    I
    D
    = 1mA时， V
    DS
    = 10V
    测试条件
    范围
    分钟。
    20
    —
    —
    0.5
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    V
    DD
    = 10V ，我
    D
    = 3.5A ，V
    GS
    = 4V ，R
    根
    = R
    GS
    = 50Ω
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    典型值。
    —
    —
    —
    0.8
    17
    21
    0.119
    20
    1350
    400
    300
    30
    80
    150
    160
    0.75
    —
    50
    马克斯。
    —
    ±0.1
    0.1
    1.3
    21
    30
    0.147
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    1.10
    78.1
    —
    单位
    V
    µA
    mA
    V
    mΩ
    mΩ
    V
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    ° C / W
    ns
    I
    D
    = 7A ，V
    GS
    = 4V
    漏极 - 源极导通电阻我
    D
    = 3.5A ，V
    GS
    = 2.5V
    漏源通态电压I
    D
    = 7A ，V
    GS
    = 4V
    I
    D
    = 7A ，V
    DS
    = 10V
    正向转移导纳
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    源 - 漏电压
    热阻
    反向恢复时间
    V
    DS
    = 10V, V
    GS
    = 0V ， F = 1MHz的
    I
    S
    = 1.5A ，V
    GS
    = 0V
    渠道ambiet
    I
    S
    = 1.5A ，D
    is
    /d
    t
    = -50A /微秒
    1999年8月

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