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FS20KM-6 参数 Datasheet PDF下载

FS20KM-6图片预览
型号: FS20KM-6
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内容描述: 三菱N沟道功率MOSFET [MITSUBISHI Nch POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 5 页 / 84 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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三菱N沟道功率MOSFET
FS20KM-6
高速开关使用
电气特性
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
V
DS ( ON)
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
R
TH( CH-C )
参数
(总胆固醇= 25 ℃)下
测试条件
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0V
I
G
=
±100µA,
V
DS
= 0V
V
GS
=
±25V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 300V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时, V
DS
= 10V
I
D
= 10A ,V
GS
= 10V
I
D
= 10A ,V
GS
= 10V
I
D
= 10A ,V
DS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
范围
分钟。
300
±30
2
8.5
典型值。
3
0.20
2.0
13.0
1400
280
55
25
50
150
65
1.5
马克斯。
±10
1
4
0.26
2.6
2.0
3.13
单位
V
V
µA
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
V
DD
= 150V ,我
D
= 10A ,V
GS
= 10V ,R
= R
GS
= 50Ω
I
S
= 10A ,V
GS
= 0V
渠道情况
性能曲线
功耗降额曲线
50
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
最大安全工作区
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
tw=10µs
100µs
1ms
10ms
T
C
= 25°C
单脉冲
23 5
7 10
1
23 5
7 10
2
DC
2 3 5 7 10
3
2
40
30
20
10
0
0
50
100
150
200
案例温度T
C
(°C)
输出特性
(典型值)
P
D
= 40W
V
GS
= 20V
10V
漏电流I
D
(A)
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
(典型值)
P
D
=
40W V
GS
=20V
20
10V
6V
5.5V
漏电流I
D
(A)
50
T
C
= 25°C
脉冲测试
40
7V
16
T
C
= 25°C
脉冲测试
12
5V
30
6V
20
5V
10
4V
0
0
10
20
30
40
50
8
4.5V
4
0
0
4
8
12
16
20
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
Feb.1999