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    2SK3212 参数 Datasheet PDF下载

    2SK3212图片预览
    型号： 2SK3212
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率场效应晶体管电源开关
    文件页数/大小： 8 页 / 94 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK3212的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK3212的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3212的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK3212的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK3212的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK3212的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SK3212的Datasheet PDF文件第8页  
    2SK3212
    主要特点
    功率与温度降额
    40
    100
    50
    10
    PW
    DC
    Op
    er
    最高安全工作区
    通道耗散P沟（W）的
    漏电流I
    D
    (A)
    30
    20
    10
    5
    2
    1
    =1
    0
    离子
    10
    1
    m
    s(
    0
    µ
    s
    m
    µ
    s
    s
    t)
    20
    at
    1s
    ho
    (T
    10
    0
    50
    100
    150
    200
    25
    操作
    °
    C
    0.5
    )
    这个区域是
    限于由R
    DS （ ON）
    0.2
    TA = 25°C
    0.1
    1
    2
    5 10 20
    c=
    50 100 200
    案例温度T
    C
    (°C)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    10
    10 V
    10
    脉冲测试
    3.5 V
    6V
    6
    4V
    典型的传输特性
    V
    DS
    = 10 V
    脉冲测试
    漏电流I
    D
    (A)
    漏电流I
    D
    (A)
    8
    8
    6
    4
    3V
    4
    TC = 75℃
    –25°C
    25°C
    2
    V
    GS
    =2.5 V
    2
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    漏极至源极饱和电压
    与门源电压
    漏极至源极饱和电压
    V
    DS （ ON）
    (V)
    2.5
    脉冲测试
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    静态漏源导通状态
    电阻与漏极电流
    500
    脉冲测试
    200
    100
    10 V
    50
    V
    GS
    = 4 V
    2.0
    1.5
    1.0
    I
    D
    = 5 A
    2A
    0
    4
    8
    12
    1A
    16
    20
    0.5
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (mΩ)
    20
    10
    0.1 0.2
    0.5
    1
    2
    5
    10 20
    50
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.3.00 2005年9月7日第3页7

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