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    2SK3157 参数 Datasheet PDF下载

    2SK3157图片预览
    型号： 2SK3157
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
    文件页数/大小： 8 页 / 89 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第8页  
    2SK3157
    主要特点
    功率与温度降额
    40
    500
    200
    100
    50
    20
    10
    5
    PW
    =
    最高安全工作区
    通道耗散P沟（W）的
    漏电流I
    D
    (A)
    30
    D
    20
    10
    0
    50
    100
    150
    200
    0.2
    0.1
    TA = 25°C
    0.05
    0.1 0.3
    1
    3
    s(
    O
    1s
    pe
    ho
    （T RA
    t)
    2
    ç蒂奥
    =
    1
    操作
    25 n
    °
    C
    这个区域是
    0.5
    )
    限于由R
    DS （ ON）
    C
    10
    10
    10
    µ
    s
    0
    µ
    s
    s
    m
    1
    m
    10
    30
    100 300 1000
    案例温度T
    C
    (°C)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    10 V
    20
    5V
    4V
    脉冲测试
    20
    典型的传输特性
    V
    DS
    = 10 V
    脉冲测试
    漏电流I
    D
    (A)
    漏电流I
    D
    (A)
    16
    3V
    16
    75°C
    12
    25°C
    TC = -25°C
    4
    12
    8
    V
    GS
    = 2.5 V
    8
    4
    2V
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    漏极至源极饱和电压
    与门源电压
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    静态漏源导通状态
    电阻与漏极电流
    1000
    脉冲测试
    500
    200
    100
    V
    GS
    = 4 V
    漏极至源极饱和电压
    V
    DS （ ON）
    (V)
    2.0
    脉冲测试
    1.6
    1.2
    I
    D
    = 20 A
    0.8
    10 A
    0.4
    5A
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (mΩ)
    50
    20
    10
    1
    2
    5
    10 V
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    10
    20
    50
    100
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.3.00 2005年9月7日第3页7

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