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    2SK3142 参数 Datasheet PDF下载

    2SK3142图片预览
    型号： 2SK3142
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
    分类和应用： 开关电源开关
    文件页数/大小： 8 页 / 87 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK3142的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK3142的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3142的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK3142的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK3142的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK3142的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SK3142的Datasheet PDF文件第8页  
    2SK3142
    主要特点
    功率与温度降额
    40
    1000
    300
    30
    10
    PW
    最高安全工作区
    通道耗散P沟（W）的
    10
    0
    µ
    漏电流I
    D
    (A)
    µ
    s
    100
    30
    10
    DC
    =
    1
    10
    m
    s
    m
    1
    s
    sh
    Op
    20
    10
    ot
    )
    操作
    (T
    c=
    这个区域是
    3
    25
    限于由R
    DS （ ON）
    °
    C
    )
    1
    er
    at
    s(
    离子
    0.3
    0
    50
    100
    150
    200
    0.1 TA = 25℃
    0.1 0.3
    1
    3
    10
    30
    100
    案例温度T
    C
    (°C)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    100
    V
    GS
    = 10 V
    典型的传输特性
    100
    脉冲测试
    漏电流I
    D
    (A)
    4V
    60
    3V
    漏电流I
    D
    (A)
    80
    5V
    80
    V
    DS
    = 10 V
    脉冲测试
    60
    40
    40
    25°C
    20
    75°C
    1
    2
    TC = -25°C
    3
    4
    5
    20
    2.5 V
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    漏极至源极饱和电压
    与门源电压
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    静态漏源导通状态
    电阻与漏极电流
    100
    漏极至源极饱和电压
    V
    DS （ ON）
    (V)
    0.5
    脉冲测试
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (mΩ)
    脉冲测试
    30
    10
    3
    1
    0.3
    0.1
    1
    V
    GS
    = 4 V
    0.4
    0.3
    I
    D
    = 50 A
    10 V
    0.2
    0.1
    10 A
    0
    4
    8
    12
    20 A
    16
    20
    3
    10
    30
    100
    300 1000
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.3.00 2005年9月7日第3页7

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