欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SK3159 参数 Datasheet PDF下载

2SK3159图片预览
型号: 2SK3159
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 开关电源开关
文件页数/大小: 8 页 / 101 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
 浏览型号2SK3159的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK3159的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3159的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK3159的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK3159的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK3159的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SK3159的Datasheet PDF文件第8页  
2SK3159
主要特点
功率与温度降额
160
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
1
10
0
µ
0
s
µ
1
m
s
s
最高安全工作区
通道耗散P沟(W)的
漏电流I
D
(A)
PW
120
80
D
C
( T O服务
ç PE
=
25慧慧
° C对
)
40
0
0
50
100
150
200
0.2
0.1 TA = 25℃
0.05
0.1 0.3 1
操作
这个区域是
限于由R
DS ( ON)
=
10
3
10 30 100 300 1000
s
m
(1
)
ot
Sh
壳温度( ° C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
50
10 V
脉冲测试
4V
3.5 V
100
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
30
漏电流I
D
(A)
40
3V
80
60
20
2.5 V
10
V
GS
= 2 V
0
0
2
4
6
8
10
40
TC = 75℃
25°C
–25°C
0
0
1
2
3
4
5
20
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
100
50
V
GS
= 4 V
20
10
5
10 V
漏极至源极饱和电压
V
DS ( ON)
(V)
2.0
脉冲测试
1.6
I
D
= 50 A
1.2
0.8
20 A
0.4
10 A
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
2
脉冲测试
1
1
2
5
10
20
50 100 200
0
0
4
8
12
16
20
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.4.00 2006年5月15日第3页7