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2SK2931 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SK2931
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内容描述: 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管电源开关
文件页数/大小: 8 页 / 87 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK2931
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向转移导纳
y
fs
(S)
40
脉冲测试
32
I
D
= 20 A
V
GS
= 4 V
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
正向转移导纳
与漏电流
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.1
0.3
1
3
10
30
100
75°C
25°C
TC = -25°C
V
DS
= 10 V
脉冲测试
10 A
5A
24
16
5, 10, 20 A
8
10 V
0
–40
0
40
80
120
160
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
100
10000
5000
漏电流I
D
(A)
典型电容
与漏极至源极电压
反向恢复时间trr ( NS )
电容C (PF )
50
2000
1000
西塞
科斯
500
200
100
50
20
的di / dt = 50A /
µs
V
GS
= 0 , TA = 25℃
0.3
1
3
10
30
100
CRSS
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
0.1
0
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
I
D
= 45 A
V
GS
V
DS
V
DD
= 10 V
25 V
50 V
开关特性
栅极至源极电压V
GS
(V)
20
1000
500
200
100
50
TD (上)
TD (关闭)
tf
tr
100
80
16
60
12
40
8
20
V
DD
= 50 V
25 V
10 V
4
0
200
开关时间t( NS )
20
0
40
80
120
160
10
0.1 0.2 0.5 1
V
GS
= 10 V,
V
DD
= 30 V
PW = 10
µs,
值班< 1 %
2
5 10 20
50 100
栅极电荷Qg ( NC )
漏电流I
D
(A)
Rev.5.00 2005年9月7日第4 7