2SK2590 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK2590
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内容描述：	硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用：	局域网
文件页数/大小：	7 页 / 1328 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SK2590

反向漏电流 -

源极到漏极电压

反向漏电流I

(A)

脉冲测试

= 10 V

0, –5 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压V

(V)

归瞬态热阻抗

秒（ t）的

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

1.0

D=1

0.5

0.3

0.1

0.2

0.1

0.05

0.02

0.0

热P

LSE

= 25°C

0.03

θch -C

(t) =

γs

(t)

• θch -C

θch -C

= 2.5 ℃/ W，T

= 25°C

D = PW

10 m

100 m

0.01

100

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

输入电压监视器

VOUT监控

D.U.T.

VOUT

VIN

10 V

Ω

= 30 V

TD （上）

VIN

10%

波形

90%

10%

90%

TD （关闭）

90%

Rev.3.00 2005年9月7日第5 6

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