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型号: 2SK2596
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内容描述: 硅N沟道MOS场效应管高频功率放大器 [Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier]
分类和应用: 放大器功率放大器
文件页数/大小: 5 页 / 61 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK2596
硅N沟道MOS FET
UHF功率放大器
REJ03G0207-0300
(上ADE - 208-1367 ( Z) )
Rev.3.00
Feb.14.2005
特点
高输出功率,高增益,高效率
PG = 12.2分贝,噘= 30.2 dBm时,
ηD
= 45 %以上。 ( F = 836.5兆赫)
可表面贴装的小型封装
概要
PLZZ0004CA-A
(以前的代码: UPAK )
D
2
3
G
1
1. Gate
2. Source
3. Drain
4. Source
4
S
注:标记为“ BX ” 。
此设备是静电放电敏感。适当的处理程序要求。
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项: 1, PW
10
µs,
占空比
1%
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)注1
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
17
±10
0.4
1
3
150
-45至+150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
Rev.3.00 , Feb.14.2005 ,第1页4