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2SK2425 参数 Datasheet PDF下载

2SK2425图片预览
型号: 2SK2425
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 7 页 / 80 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK2425
反向漏电流和源
漏极电压
10
反向漏电流I
DR
(A)
8
脉冲测试
6
4
V
GS
= 10 V
2
V
GS
= 0, – 5 V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压V
SD
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒( t)的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θ
CH - C ( T) =
γ
秒( t)的
• θ
CH - C
θ
CH - C = 4.17 ° C / W ,TC = 25°C
PDM
PW
T
D=
0.03
0.01
10
µ
0.02
1
LSE
0.0
pu
t
ho
1s
PW
T
100
µ
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度
开关时间测试电路
输入电压监视器
VOUT监控
D.U.T
R
L
VIN
10 V
50
.
.
V
DD
= 30 V
PW (S )
波形
90 %
VIN
V OUT
10 %
10 %
90 %
TD (上)
tr
90 %
TD (关闭)
tf
10 %
Rev.2.00 2005年9月7日第5 6