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    2SK2225 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2225图片预览
    型号： 2SK2225
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 81 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK2225的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK2225的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2225的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK2225的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK2225的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK2225的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK2225
    主要特点
    功率与温度降额
    80
    10
    3
    60
    0
    10
    最高安全工作区
    10
    PW
    通道耗散P沟（W）的
    µ
    s
    漏电流I
    D
    (A)
    1
    0.3
    =
    1
    10
    m
    s
    µ
    s
    m
    (1
    s
    C
    D
    r
    pe
    O
    40
    sh
    ot
    )
    0.1
    操作
    0.03
    20
    这个区域是
    限于由R
    DS （ ON）
    TA = 25°C
    0
    50
    100
    150
    200
    0.01
    10
    30
    100 300
    1000 3000 10000
    io
    at
    n
    (T
    c
    =
    )
    °
    C
    25
    案例温度T
    C
    (°C)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    5
    脉冲测试
    7V
    3
    6V
    15 V
    2.0
    10 V
    8V
    典型的传输特性
    漏电流I
    D
    (A)
    漏电流I
    D
    (A)
    4
    1.6
    V
    DS
    = 25 V
    脉冲测试
    1.2
    2
    0.8
    TC = 75℃
    25°C
    –25°C
    1
    5V
    V
    GS
    = 4 V
    0.4
    0
    20
    40
    60
    80
    100
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    漏极至源极饱和电压
    与门源电压
    50
    脉冲测试
    40
    I
    D
    = 3 A
    30
    2A
    1A
    0.5 A
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    静态漏源导通状态
    电阻与漏极电流
    50
    20
    10
    5
    漏极至源极饱和电压V
    DS （ ON）
    (V)
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    V
    GS
    = 10 V
    15 V
    20
    2
    脉冲测试
    1
    0.5
    0.1
    10
    0.2
    0.5
    1
    2
    5
    10
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

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