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    2SK2221 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2221图片预览
    型号： 2SK2221
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 6 页 / 72 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK2221的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK2221的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2221的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK2221的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK2221的Datasheet PDF文件第6页  
    2SK2220 ， 2SK2221
    主要特点
    功率与温度降额
    150
    20
    TA = 25°C
    10
    最高安全工作区
    通道耗散P沟（W）的
    PW
    =
    PW
    漏电流I
    D
    (A)
    10
    100
    5
    D
    C
    m
    s
    =
    0
    10
    m
    s
    pe
    O
    ra
    (1
    Sh
    n
    TIO
    ot
    (1
    2
    1.0
    0.5
    )
    ot
    Sh
    )
    =
    (T
    C
    25
    50
    2SK2220
    °
    C
    )
    2SK2221
    0
    50
    100
    150
    0.2
    5
    10
    20
    50
    100
    200
    500
    案例温度T
    C
    (°C)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    10
    V
    GS
    =
    10 V
    9
    8
    7
    6
    6
    5
    4
    4
    3
    2
    2
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    1
    50
    0
    PCH = 125瓦
    T
    C
    = 25
    °
    C
    10
    典型的输出特性
    T
    C
    = 25
    °
    C
    9
    7
    6
    6
    5
    4
    4
    3
    2
    1
    2
    4
    6
    8
    0
    10
    V
    GS
    = 10 V
    8
    漏电流I
    D
    (A)
    漏电流I
    D
    (A)
    8
    8
    2
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    典型的传输特性
    10
    V
    DS
    = 10 V
    1.0
    典型的传输特性
    25
    °
    C
    漏电流I
    D
    (A)
    漏电流I
    D
    (A)
    =–
    25
    25
    =–
    0.4
    0.2
    0
    0.4
    0.8
    °
    C
    T
    1.2
    C
    8
    0.8
    V
    DS
    = 10 V
    T
    C
    6
    75
    0.6
    4
    2
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    1.6
    75
    2.0
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    Rev.2.00 2005年9月7日第3页5
    25

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