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    2SK1968 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1968图片预览
    型号： 2SK1968
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用： 局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 82 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK1968
    静态漏源导通状态
    电阻与温度
    2.0
    脉冲测试
    V
    GS
    = 10 V
    1.6
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    正向转移导纳
    与漏电流
    正向转移导纳
    y
    fs
    (S)
    50
    脉冲测试
    V
    DS
    = 20 V
    20
    10
    5
    TC = -25°C
    25°C
    75°C
    1.2
    10 A
    0.8
    I
    D
    = 5 A
    2
    1
    0.5
    0.1 0.2
    0.4
    0
    –40
    0
    40
    80
    120
    160
    0.5
    1
    2
    5
    10
    20
    案例温度T
    C
    (°C)
    体漏二极管反向
    恢复时间
    3000
    5000
    的di / dt = 100 A / μs的
    V
    GS
    = 0 ， TA = 25℃
    2000
    漏电流I
    D
    (A)
    典型电容
    与漏极至源极电压
    反向恢复时间trr （ NS ）
    2000
    西塞
    电容C （PF ）
    1000
    500
    200
    100
    50
    20
    CRSS
    10
    20
    30
    40
    50
    V
    GS
    = 0
    F = 1 MHz的
    科斯
    1000
    500
    200
    100
    0.1 0.2
    0.5
    1
    2
    5
    10
    20
    10
    0
    反向漏电流I
    DR
    (A)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    动态输入特性
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    I
    D
    = 12 A
    V
    DD
    = 100 V
    250 V
    400 V
    V
    GS
    16
    开关特性
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    20
    300
    200
    t
    D（关闭）
    1000
    开关时间t（ NS ）
    800
    100
    t
    f
    t
    r
    20
    10
    0.1 0.2
    V
    GS
    = 10 V ， PW = 5
    µs
    占空比1 ％以下，V
    DD
    30 V
    0.5
    1
    2
    5
    10
    20
    600
    V
    DS
    12
    50
    400
    8
    V
    DD
    = 400 V
    250 V
    100 V
    20
    40
    60
    80
    t
    D（上）
    200
    4
    0
    100
    0
    栅极电荷Qg （ NC ）
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

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