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2SK1697 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SK1697
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关
文件页数/大小: 7 页 / 88 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1697
硅N沟道MOS FET
REJ03G1373-0200
(上一个: ADE- 208-1313 )
Rev.2.00
2006年5月11日
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
4 V栅极驱动器可以驱动从5V电源。
适用于直流 - 直流转换器,电机驱动器,电源开关,电磁驱动器
概要
瑞萨封装代码: PLZZ0004CA -A
(包名称: UPAK
R
)
3
2 1
G
4
D
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
注意:
标记为“ EY ” 。
* UPAK是瑞萨科技公司的商标。
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
符号
漏源极电压
V
DSS
栅极至源极电压
V
GSS
漏电流
I
D
漏电流峰值
I
D(pulse)*1
体漏二极管的反向漏电流
I
DR
散热通道
PCH
*2
通道温度
总胆固醇
储存温度
TSTG
注意事项: 1, PW
10
µs,
占空比
1%
2.当使用的氧化铝陶瓷板( 12.5
×
20
×
0.7 mm)
评级
60
±20
0.5
1.5
0.5
1
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
Rev.2.00 2006年5月11日第1页6