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    2SK1671 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1671图片预览
    型号： 2SK1671
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 83 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK1671的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1671的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1671的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1671的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1671的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1671的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK1671
    静态漏源导通状态
    电阻与温度
    0.2
    V
    GS
    = 10 V
    脉冲测试
    0.16
    I
    D
    = 30 A
    20 A
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    正向转移导纳
    与漏电流
    正向转移导纳
    y
    fs
    (S)
    50
    V
    DS
    = 10 V
    脉冲测试
    T
    C
    = –25°C
    20
    10
    5
    25°C
    75°C
    0.12
    10 A
    0.08
    2
    1
    0.5
    0.5
    0.04
    0
    –40
    0
    40
    80
    120
    160
    1
    2
    5
    10
    20
    50
    案例温度T
    C
    (°C)
    体漏二极管反向
    恢复时间
    500
    10,000
    漏电流I
    D
    (A)
    典型的电容比。
    漏源极电压
    反向恢复时间吨RR （ NS ）
    西塞
    电容C （PF ）
    200
    100
    50
    1,000
    科斯
    20
    10
    5
    0.5
    100
    CRSS
    V
    GS
    = 0
    F = 1 MHz的
    10
    的di / dt = 100 A / μs的，V
    GS
    = 0
    TA = 25 ° C，脉冲测试
    1
    2
    5
    10
    20
    50
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    反向漏电流I
    DR
    (A)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    动态输入特性
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    500
    V
    DD
    = 50V
    100 V
    200 V
    V
    GS
    20
    500
    开关特性
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    t
    D（关闭）
    开关时间t（ NS ）
    400
    16
    200
    100
    t
    r
    50
    20
    10
    5
    0.5
    .
    V
    GS
    = 10 V, V
    DD
    = 30 V
    .
    PW = 2
    µs,
    值班< 1 ％
    1
    2
    5
    10
    20
    50
    t
    D（上）
    t
    f
    300
    V
    DS
    12
    200
    8
    V
    DD
    = 200 V
    100 V
    50 V
    40
    80
    120
    100
    4
    I
    D
    = 30 A
    脉冲测试
    160
    0
    200
    0
    栅极电荷Qg （ NC ）
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

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