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    2SK1629 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1629图片预览
    型号： 2SK1629
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用： 局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 82 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK1629的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1629的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1629的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1629的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1629的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1629的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK1628 ， 2SK1629
    主要特点
    功率与温度降额
    300
    500
    200
    最高安全工作区
    P沟（W）的
    I
    D
    (A)
    100
    10
    10
    200
    50
    1
    µ
    s
    0
    µ
    s
    散热通道
    PW
    m
    漏电流
    20
    10
    5
    2
    1
    D
    s
    C
    =
    O
    10
    m
    s
    pe
    ra
    TIO
    (1
    o
    Sh
    100
    Tc
    操作
    =
    25
    这个区域是
    °C
    )
    限于由R
    DS （ ON）
    n
    (
    TA = 25°C
    1
    3
    10
    30
    2SK1629
    0
    0
    50
    100
    150
    0.5
    2SK1628
    100
    t)
    300
    1000
    外壳温度
    TC （ ℃）
    漏源极电压
    V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    50
    10 V
    7V
    脉冲测试
    20
    典型的传输特性
    V
    DS
    = 20 V
    脉冲测试
    (A)
    (A)
    I
    D
    漏电流
    40
    6V
    16
    I
    D
    30
    12
    5V
    漏电流
    20
    8
    TC = 75℃
    25°C
    –25°C
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    10
    V
    GS
    = 4 V
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    4
    0
    漏源极电压
    V
    DS
    (V)
    栅极至源极电压
    V
    GS
    (V)
    漏极至源极饱和电压与
    栅极至源极电压
    漏极至源极导通电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    漏极至源极饱和电压
    V
    DS （ ON）
    (V)
    10
    脉冲测试
    8
    静态漏极至源极通态电阻
    与漏电流
    5
    脉冲测试
    2
    1
    0.5
    V
    GS
    = 10 V
    15 V
    6
    I
    D
    = 20 A
    4
    10 A
    5A
    0
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    0.2
    0.1
    0.05
    1
    2
    5
    10
    20
    2
    50
    100
    栅极至源极电压
    V
    GS
    (V)
    漏电流
    I
    D
    (A)
    Rev.3.00 2006年5月15日第3页6

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