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    2SK1517 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1517图片预览
    型号： 2SK1517
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用： 局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 84 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK1517的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1517的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1517的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1517的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1517的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1517的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK1517 ， 2SK1518
    主要特点
    功率与温度降额
    150
    100
    sa
    re
    a
    O
    每
    LIM一吨
    ITE离子
    d。在
    由次
    R I
    最高安全工作区
    通道耗散P沟（W）的
    漏极电流ID （ A）
    30
    10
    3
    1
    0.3
    100
    D
    C
    50
    PW
    µ
    s
    1
    m
    =
    O
    s
    PE 10
    m
    ra
    蒂奥S（
    1
    n
    （T嘘
    ot
    C
    =
    25 )
    °
    C
    )
    2SK1518
    2SK1517
    30
    100
    300
    1,000
    10
    10
    0
    DS
    (o
    n)
    µ
    s
    TA = 25°C
    0.1
    0
    50
    100
    150
    1
    3
    10
    案例温度T
    C
    (°C)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    50
    10 V
    7V
    6V
    20
    典型的传输特性
    漏电流I
    D
    (A)
    脉冲测试
    30
    漏电流I
    D
    (A)
    40
    16
    V
    DS
    = 20 V
    脉冲测试
    12
    20
    5V
    8
    75
    °
    C
    25
    °
    C
    T
    C
    = – 25
    °
    C
    10
    V
    GS
    = 4 V
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    4
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    漏极至源极饱和电压
    与门源电压
    10
    脉冲测试
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    静态漏源导通状态
    电阻与漏极电流
    5
    漏极至源极饱和电压V
    DS （ ON）
    (V)
    8
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    2
    1
    0.5
    脉冲测试
    6
    20 A
    4
    10 A
    2
    I
    D
    = 5 A
    V
    GS
    = 10 V
    15 V
    0.2
    0.1
    0.05
    1
    2
    5
    10
    20
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    50
    100
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

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