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2SK1573 参数 Datasheet PDF下载

2SK1573图片预览
型号: 2SK1573
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 7 页 / 83 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1573
主要特点
功率与温度降额
150
100
10
re
a
O
在林
ITE离子
d。在
由次
R是
a
最高安全工作区
通道耗散P沟(W)的
漏电流I
D
(A)
DS
(o
n
30
100
10
3
1
0.3
PW
10
0
=
µ
s
)
10
µ
s
1
m
s
s
(1
m
C
D
O
t
ra
pe
n
io
Sh
ot
Pu
50
LSE
)
=
(T
C
°
C
25
)
TA = 25°C
0.1
0
50
100
150
1
3
10
30
100
300 1,000
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的传输特性
20
10 V
8V
5V
20
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
脉冲测试
12
4.5 V
漏电流I
D
(A)
16
16
12
8
8
TA = 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
4
V
GS
= 4 V
4
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
10
脉冲测试
8
I
D
= 20 A
漏极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
5
脉冲测试
2
1
0.5
V
GS
= 10, 15 V
漏极至源极饱和电压V
DS ( ON)
(V)
6
4
10 A
5A
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
0.2
0.1
0.05
1
2
5
10
20
50
100
2
0
2
4
6
8
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页6