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    2SK1404 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1404图片预览
    型号： 2SK1404
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 81 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK1404的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1404的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1404的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1404的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1404的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1404的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK1404
    主要特点
    功率与温度降额
    60
    最高安全工作区
    50
    20
    通道耗散P沟（W）的
    漏电流I
    D
    (A)
    10
    5
    PW
    10
    40
    10
    1
    µ
    s
    0
    µ
    s
    2
    1
    0.5
    0.2
    0.1
    D
    m
    C
    O
    pe
    ra
    TIO
    n
    =
    10
    s
    s
    (1
    ot
    Sh
    20
    (T
    m
    操作
    这个区域是
    限于由R
    DS （ ON）
    TA = 25°C
    c
    )
    =
    25
    °C
    )
    0
    0
    50
    100
    150
    0.05
    1
    3
    10
    30
    100
    300
    1000
    壳温度（ ° C）
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    10
    10 V
    6V
    脉冲测试
    5V
    4.5 V
    10
    典型的传输特性
    V
    DS
    = 20 V
    脉冲测试
    漏电流I
    D
    (A)
    漏电流I
    D
    (A)
    8
    8
    6
    6
    4
    4V
    2
    V
    GS
    = 3 V
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    3.5 V
    4
    TC = 75℃
    2
    25°C
    –25°C
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    50
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    漏极至源极饱和电压与
    栅极至源极电压
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    静态漏极至源极通态电阻
    与漏电流
    50
    脉冲测试
    20
    10
    5
    V
    GS
    = 10 V
    2
    1
    0.5
    0.2
    15 V
    漏极至源极饱和电压
    V
    DS （ ON）
    (V)
    10
    脉冲测试
    8
    I
    D
    = 5 A
    6
    4
    2A
    2
    1A
    0
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    0.5
    1
    2
    5
    10
    20
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.3.00 2006年5月15日第3页6

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