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    2SK1304 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1304图片预览
    型号： 2SK1304
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用： 局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 84 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK1304的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1304的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1304的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1304的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1304的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1304的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK1304
    静态漏源导通状态
    电阻与温度
    0.10
    脉冲测试
    I
    D
    = 50 A
    0.06
    V
    GS
    = 4 V
    20 A
    10 A
    0.04
    50 A
    20 A
    10 A
    V
    GS
    = 10 V
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    正向转移导纳
    与漏电流
    正向转移导纳
    y
    fs
    (S)
    50
    0.08
    20
    10
    5
    –25°C
    T
    C
    = 25°C
    75°C
    2
    1.0
    0.02
    V
    GS
    = 10 V
    脉冲测试
    0
    –40
    0
    40
    80
    120
    160
    0.5
    1.0
    2
    5
    10
    20
    50
    案例温度T
    C
    (°C)
    体漏二极管反向
    恢复时间
    500
    10,000
    的di / dt = 50A / μs的，TA = 25℃
    V
    GS
    = 0
    脉冲测试
    漏电流I
    D
    (A)
    典型的电容比。
    漏源极电压
    反向恢复时间trr （ NS ）
    西塞
    电容C （PF ）
    200
    100
    50
    20
    10
    5
    0.5
    1,000
    科斯
    CRSS
    100
    V
    GS
    = 0
    F = 1 MHz的
    10
    1.0
    2
    5
    10
    20
    50
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    反向漏电流I
    DR
    (A)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    动态输入特性
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    100
    V
    DS
    V
    DD
    = 25 V
    50 V
    80 V
    60
    V
    DD
    = 80 V
    50 V
    25 V
    20
    I
    D
    = 40 A
    4
    V
    GS
    12
    20
    1,000
    开关特性
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    TD （关闭）
    500
    开关时间t（ NS ）
    80
    16
    tf
    200
    100
    50
    TD （上）
    20
    10
    0.5
    V
    GS
    = 10 V V
    DD
    = 30 V
    PW = 2
    µs,
    值班< 1 ％
    •
    •
    40
    8
    tr
    0
    0
    40
    80
    120
    160
    200
    1.0
    2
    5
    10
    20
    50
    栅极电荷Qg （ NC ）
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

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