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    2SK1306 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1306图片预览
    型号： 2SK1306
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 83 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK1306的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1306的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1306的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1306的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1306的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1306的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK1306
    主要特点
    功率与温度降额
    60
    100
    30
    10
    3
    1.0
    0.3
    TA = 25°C
    0.1
    0
    50
    100
    150
    1
    3
    10
    30
    100
    300
    1,000
    D
    最高安全工作区
    10
    µ
    s
    通道耗散P沟（W）的
    漏电流I
    D
    (A)
    PW
    C
    O
    pe
    10
    =
    0
    1
    10
    m
    m
    s
    µ
    s
    40
    s
    sh
    ra
    (1
    TIO
    n
    ot
    20
    (T
    )
    C
    =
    在这一领域
    由R有限公司
    DS （ ON）
    25
    °
    C
    )
    案例温度T
    C
    (°C)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    20
    典型的传输特性
    20
    10 V
    4V
    7V
    脉冲测试
    V
    DS
    = 10 V
    脉冲测试
    漏电流I
    D
    (A)
    12
    漏电流I
    D
    (A)
    16
    3.5 V
    16
    12
    3V
    8
    8
    75
    °
    C
    T
    C
    = 25
    °
    C
    –25
    °
    C
    4
    2.5 V
    V
    GS
    = 2.5 V
    4
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏极至源极饱和电压
    V
    DS （ ON）
    (V)
    2.5
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    漏极至源极饱和电压
    与门源电压
    静态漏源导通状态
    电阻与漏极电流
    0.5
    0.2
    20 A
    2.0
    V
    GS
    = 4 V
    10 V
    1.5
    脉冲测试
    10 A
    0.1
    0.05
    1.0
    I
    D
    = 5 A
    0.02
    脉冲测试
    0.5
    0.01
    0.005
    1
    2
    5
    10
    20
    50
    100
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

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