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2SK1318 参数 Datasheet PDF下载

2SK1318图片预览
型号: 2SK1318
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内容描述: 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
文件页数/大小: 7 页 / 83 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1318
静态漏源导通状态
电阻与温度
0.25
I
D
= 20 A
0.2
脉冲测试
10 A
5A
V
GS
= 4 V
0.1
V
GS
= 10 V
10 A
5A
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
正向转移导纳
与漏电流
正向转移导纳
y
fs
(S)
100
50
V
DS
= 10 V
脉冲测试
25°C
0.15
20
10
5
TC = -25°C
75°C
0.05
2
1
0.5
0
–40
0
40
80
120
160
1
2
5
10
20
50
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
500
10,000
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
反向恢复时间trr ( NS )
电容C (PF )
200
100
50
20
10
5
0.2
西塞
1,000
科斯
100
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
CRSS
的di / dt = 50A / μs的
V
GS
= 0 , TA = 25℃
脉冲测试
0.5
1
2
5
10
20
0
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
开关特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
V
DD
= 100 V
160
50 V
25 V
120
V
DS
V
GS
12
16
栅极至源极电压V
GS
(V)
200
20
500
t
D(关闭)
200
100
50
20
10
5
0.2
开关时间t( NS )
V
GS
= 10 V , PW = 2
µs
.
.
& LT ;
1%, V
DD
= 30 V
=
t
f
t
r
80
8
t
D(上)
40
V
DD
= 100 V
50 V
25 V
20
40
60
I
D
= 20 A
4
0
0
80
100
0.5
1
2
5
10
20
栅极电荷Qg ( NC )
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第4 6