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2SK1301 参数 Datasheet PDF下载

2SK1301图片预览
型号: 2SK1301
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 82 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1301
静态漏源导通状态
电阻与温度
0.5
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
正向转移导纳
与漏电流
正向转移导纳
y
fs
(S)
I
D
= 20 A
脉冲测试
50
V
DS
= 10 V
脉冲测试
–25
°
C
0.4
20
10
5
2
1
T
C
= 25
°
C
75
°
C
0.3
V
GS
= 4 V
10 A
5A
20 A
10 A
5A
0.2
0.1
V
GS
= 10 V
0
–40
0
40
80
120
160
0.5
0.2
0.5
1.0
2
5
10
20
案例温度T
C
(°C)
漏电流I
D
(A)
体漏二极管反向
恢复时间
500
10000
的di / dt = 50A / μs的,TA = 25
°
C
V
GS
= 0
脉冲测试
典型的电容比。
漏源极电压
反向恢复时间trr ( NS )
电容C (PF )
200
100
50
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
1000
西塞
科斯
100
CRSS
20
10
5
0.2
10
0.5
1.0
2
5
10
20
0
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
开关特性
20
漏极至源极电压V
DS
(V)
100
V
DD
= 25 V
50 V
V
DS
80 V
V
DD
= 80 V
栅极至源极电压V
GS
(V)
500
200
100
tf
50
tr
TD (上)
V
GS
= 10 V V
DD
= 30 V
PW = 2
µs,
值班< 1 %
V
GS
12
60
50 V
40
8
开关时间t( NS )
80
16
TD (关闭)
20
10
5
0.2
20
25 V
0
20
40
60
80
I
D
= 15 A
4
0
100
0.5
1
2
5
10
20
栅极电荷Qg ( NC )
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第4 6