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2SK1300 参数 Datasheet PDF下载

2SK1300图片预览
型号: 2SK1300
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 7 页 / 82 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1300
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向转移导纳
y
fs
(S)
0.5
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
正向转移导纳
与漏电流
50
V
DS
= 10 V
脉冲测试
20
10
5
2
1
0.5
0.1
25
°
C
75
°
C
脉冲测试
0.4
I
D
= 10 A
5A
2A
10 A
5A
T
C
= –25
°
C
0.3
V
GS
= 4 V
2A
0.2
10 V
0.1
0
–40
0
40
80
120
160
0.2
0.5
1
2
5
10
案例温度T
C
(°C)
漏电流I
D
(A)
体漏二极管反向
恢复时间
500
10,000
典型的电容比。
漏源极电压
反向恢复时间trr ( NS )
电容C (PF )
200
100
50
的di / dt = 50A / μs的
V
GS
= 0 , TA = 25
°
C
脉冲测试
1,000
西塞
20
10
5
0.1
100
科斯
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
0.2
0.5
1
2
5
10
0
10
20
30
CRSS
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
200
160
20
500
开关特性
栅极至源极电压V
GS
(V)
TD (关闭)
120
V
DS
V
DD
= 25 V
50 V
80 V
V
GS
12
开关时间t( NS )
16
200
100
tf
50
20
10
5
0.2
tr
V
GS
= 10 V , PW
.
2
µs
=
值班< 1 %V
DD
=
30 V
.
TD (上)
0.5
1
2
5
10
20
80
40
8
I
D
= 10 A
4
V
DD
= 80 V
50 V
25 V
8
16
24
0
32
0
40
栅极电荷Qg ( NC )
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第4 6