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    2SK1316 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1316图片预览
    型号： 2SK1316
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 57 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK1316的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1316的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1316的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1316的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1316的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1316的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SK1316的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2SK1316的Datasheet PDF文件第9页  
    2SK1315 （L） （S） - ， 2SK1316 （L） （S）
    电气特性
    （ TA = 25°C ）
    项
    漏极至源极
    击穿电压
    符号最小值
    2SK1315 V
    （ BR ） DSS
    2SK1316
    V
    （ BR ） GSS
    I
    GSS
    450
    500
    ±30
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    ±10
    250
    V
    µA
    µA
    I
    G
    =
    ±100 µA,
    V
    DS
    = 0
    V
    GS
    =
    ±25
    V, V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = 360 V, V
    GS
    = 0
    V
    DS
    = 400 V, V
    GS
    = 0
    V
    GS （ OFF ）
    2.0
    —
    —
    | YFS |
    西塞
    科斯
    CRSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    DF
    t
    rr
    4.5
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    0.55
    0.60
    7.5
    1150
    340
    55
    17
    55
    100
    45
    0.9
    350
    3.0
    0.7
    0.8
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    ns
    I
    F
    = 8 A，V
    GS
    = 0
    I
    F
    = 8 A，V
    GS
    = 0,
    di
    F
    / DT = 100 A / μs的
    I
    D
    = 4 A，V
    GS
    = 10 V,
    R
    L
    = 7.5
    Ω
    I
    D
    = 4 A，V
    DS
    = 10 V *
    1
    V
    DS
    = 10 V, V
    GS
    = 0,
    F = 1 MHz的
    V
    Ω
    I
    D
    = 1毫安， V
    DS
    = 10 V
    I
    D
    = 4 A，V
    GS
    = 10 V *
    1
    典型值
    —
    最大
    —
    单位
    V
    测试条件
    I
    D
    = 10 mA时， V
    GS
    = 0
    栅源击穿
    电压
    门源漏电流
    零栅极电压
    漏电流
    2SK1315我
    DSS
    2SK1316
    门源截止电压
    静态漏源2SK1315 ř
    DS （ ON）
    导通状态电阻
    2SK1316
    正向转移导纳
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    身体向前漏二极管
    电压
    体漏二极管反向
    恢复时间
    注意：
    1.脉冲测试
    见2SK1159 ， 2SK1160特性曲线。
    3

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