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    2SK1162 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1162图片预览
    型号： 2SK1162
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 84 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK1162的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1162的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1162的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1162的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1162的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1162的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK1161 ， 2SK1162
    主要特点
    功率与温度降额
    120
    100
    30
    漏电流I
    D
    (A)
    re
    a
    最高安全工作区
    通道耗散P沟（W）的
    10
    µ
    s
    0
    µ
    s
    DS
    80
    10
    3
    1.0
    0.3
    0.1
    O
    每
    在林
    ITE离子
    d。在
    由次
    R是
    D
    PW
    C
    O
    pe
    r
    10
    =
    n)
    1
    10
    m
    s
    C
    (o
    m
    s
    at
    io
    n
    (1
    40
    (T
    sh
    ot
    TA = 25°C
    1
    3
    10
    25
    °
    C
    )
    2SK1162
    2SK1161
    =
    )
    0
    50
    100
    150
    30
    100
    300
    1,000
    案例温度T
    C
    (°C)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    20
    10 V
    7V
    6V
    脉冲测试
    12
    5V
    20
    典型的传输特性
    –25°C
    V
    DS
    = 20 V
    脉冲测试
    T
    C
    = 25°C
    漏电流I
    D
    (A)
    漏电流I
    D
    (A)
    16
    16
    12
    75°C
    8
    8
    4
    V
    GS
    = 4 V
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    4
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    漏极至源极饱和电压
    与门源电压
    10
    脉冲测试
    10 A
    6
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    静态漏源导通状态
    电阻与漏极电流
    5
    脉冲测试
    V
    GS
    = 10 V
    漏极至源极饱和电压V
    DS （ ON）
    (V)
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    8
    2
    1.0
    0.5
    15 V
    4
    5A
    2
    I
    D
    = 2 A
    0.2
    0.1
    0.05
    0.5
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    1.0
    2
    5
    10
    20
    50
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

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