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2SK1167 参数 Datasheet PDF下载

2SK1167图片预览
型号: 2SK1167
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 83 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1167 , 2SK1168
主要特点
功率与温度降额
100
150
30
最高安全工作区
通道耗散P沟(W)的
漏电流I
D
(A)
D
10
3
1.0
0.3
0.1
100
50
s
ra
ms
TIO
(1
n
(T
C
=
t)
25
°
C
在这一领域
)
由R有限公司
DS ( ON)
pe
C
PW
10
=
10
0
µ
s
µ
s
1
10
O
m
TA = 25
°
C
1
3
10
2SK1168
2SK1167
30
100
300
1,000
0
50
100
150
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
20
10 V
6V
脉冲测试
12
5.0 V
20
5.5 V
典型的传输特性
V
DS
= 20 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
16
16
12
8
4.5 V
4
V
GS
= 4 V
0
4
8
12
16
20
8
4
75
°
C
–25
°
C
T
C
= 25
°
C
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
5
2
1.0
0.5
V
GS
= 10 V
脉冲测试
漏极至源极饱和电压
V
DS
(上) (V)的
10
脉冲测试
20 A
6
8
4
2
10 A
I
D
= 5 A
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
0.2
0.1
0.05
1
2
5
10
20
15 V
0
4
8
12
16
20
50
100
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页6