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2SK1070 参数 Datasheet PDF下载

2SK1070图片预览
型号: 2SK1070
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内容描述: 硅n沟道FET的结 [Silicon N-Channel Junction FET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 5 页 / 58 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1070
正向转移导纳
与门源电压
50
1,000
V
DS
= 5 V
F = 1千赫
门切断电流
与门源电压
栅极切断电流I
GSS
( PA )
正向转移导纳
y
fs
(女士)
40
V
DS
= 0
100
30
10
20
10
1.0
0
–1.25
0.1
–1.0 –0.75 –0.5 –0.25
栅极至源极电压V
GS
(V)
0
0
–10
–20
–30
–40
–50
栅极至源极电压V
GS
(V)
输入电容与
漏源极电压
F = 1 MHz的
V
GS
= 0
反向传输电容
与漏极至源极电压
反向传输电容C
RSS
(PF )
100
100
50
F = 1 MHz的
V
GS
= 0
输入电容C
国际空间站
(PF )
50
20
10
5
20
10
5
2
1
0.1
2
1
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
漏极至源极电压V
DS
(V)
10
0.2
0.5 1.0
2
5
漏极至源极电压V
DS
(V)
10
噪声系数与
信号源电阻
12
12
V
DS
= 5 V
I
D
= 1毫安
F = 1千赫
10
8
6
4
2
0
10
噪声系数与频率的关系
V
DS
= 5 V
I
D
= 1毫安
RG = 1千欧
噪声系数NF ( dB)的
8
6
4
2
0
10
噪声系数NF ( dB)的
10
100
1k
10 k
信号源电阻R
g
(Ω)
100 k
100
1k
10 k
频率f(赫兹)
100 k
Rev.2.00 , Mar.14.2005 , 4 3页