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    2SJ533 参数 Datasheet PDF下载

    2SJ533图片预览
    型号： 2SJ533
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅P沟道MOS场效应晶体管 [Silicon P Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 8 页 / 89 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SJ533的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SJ533的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SJ533的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SJ533的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SJ533的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SJ533的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SJ533的Datasheet PDF文件第8页  
    2SJ533
    绝对最大额定值
    （ TA = 25°C ）
    项
    漏源极电压
    栅极至源极电压
    漏电流
    漏电流峰值
    体漏二极管的反向漏电流
    雪崩电流
    雪崩能量
    散热通道
    通道温度
    储存温度
    注意事项： 1， PW
    ≤
    10
    µs,
    占空比
    ≤
    1%
    2.价值在Tc = 25℃
    3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
    ≥
    50
    Ω
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D（脉冲）
    I
    DR
    注1
    价值
    –60
    ±20
    –30
    –120
    –30
    –30
    77
    35
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    mJ
    W
    °C
    °C
    I
    AP
    注3
    E
    AR
    PCH
    总胆固醇
    注2
    注3
    TSTG
    电气特性
    （ TA = 25°C ）
    项
    漏源击穿电压
    栅源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    门源漏电流
    门源截止电压
    静态漏极至源极通态电阻
    正向转移导纳
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    身体流失二极管正向电压
    体漏二极管反向恢复时间
    注意：
    4.脉冲测试
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    V
    （ BR ） GSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS （关闭）
    R
    DS （ ON）
    R
    DS （ ON）
    |y
    fs
    |
    西塞
    科斯
    CRSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    DF
    t
    rr
    民
    –60
    ±20
    —
    —
    –1.0
    —
    —
    15
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    典型值
    —
    —
    —
    —
    —
    0.028
    0.038
    25
    2500
    1300
    300
    25
    150
    350
    220
    –0.95
    100
    最大
    —
    —
    –10
    ±10
    –2.0
    0.037
    0.055
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    单位
    V
    V
    µA
    µA
    V
    Ω
    Ω
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    ns
    测试条件
    I
    D
    = -10毫安，V
    GS
    = 0
    I
    G
    =
    ±100 µA,
    V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = –60 V, V
    GS
    = 0
    V
    GS
    =
    ±16
    V, V
    DS
    = 0
    I
    D
    = -1毫安，V
    DS
    = –10 V
    注4
    I
    D
    = -15 A，V
    GS
    = –10 V
    I
    D
    = -15 A，V
    GS
    = –4 V
    注4
    I
    D
    = -15 A，V
    DS
    = –10 V
    V
    DS
    = –10 V
    V
    GS
    = 0
    F = 1 MHz的
    V
    GS
    = –10 V
    I
    D
    = –15 A
    R
    L
    = 2
    Ω
    I
    F
    = -30 A，V
    GS
    = 0
    I
    F
    = -30 A，V
    GS
    = 0
    di
    F
    / DT = 50 A / μs的
    注4
    Rev.4.00 2005年9月7日第2 7

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