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    2SJ222 参数 Datasheet PDF下载

    2SJ222图片预览
    型号： 2SJ222
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅P沟道MOS场效应晶体管 [Silicon P Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 82 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SJ222的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SJ222的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SJ222的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SJ222的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SJ222的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SJ222的Datasheet PDF文件第7页  
    2SJ222
    主要特点
    功率与温度降额
    60
    –100
    最高安全工作区
    µ
    s
    )
    µ
    s
    ot
    )
    10
    0
    sh
    s
    °C
    1
    10
    m
    25
    s(
    1
    m
    c=
    (T
    10
    n
    =
    TIO
    ra
    pe
    O
    P沟（W）的
    I
    D
    (A)
    –30
    –10
    –3
    –1
    –0.3
    PW
    40
    DC
    散热通道
    20
    漏电流
    操作
    这个区域是
    限于由R
    DS （ ON）
    0
    0
    50
    100
    150
    TA = 25°C
    –0.1
    –1
    –3
    –10
    –30
    –100 –300 –1000
    外壳温度
    TC （ ℃）
    漏源极电压
    V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    –50
    –10 V
    –8 V
    –6 V
    –20
    典型的传输特性
    V
    DS
    = –10 V
    脉冲测试
    I
    D
    (A)
    –40
    I
    D
    (A)
    漏电流
    –5 V
    –16
    –30
    –12
    –4 V
    漏电流
    –20
    V
    GS
    = –3 V
    脉冲测试
    0
    0
    –4
    –8
    –12
    –16
    –20
    –8
    –10
    –4
    75°C
    TC = 25°C
    –25°C
    0
    0
    –1
    –2
    –3
    –4
    –5
    漏源极电压
    V
    DS
    (V)
    栅极至源极电压
    V
    GS
    (V)
    漏极至源极饱和电压V
    DS （ ON）
    (V)
    漏极至源极饱和电压与
    栅极至源极电压
    –10
    脉冲测试
    –8
    静态漏极至源极通态电阻
    与漏电流
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    5
    3
    1
    0.3
    0.1
    脉冲测试
    –6
    V
    GS
    = –4 V
    –10 V
    –4
    –20 A
    –2
    –10 A
    I
    D
    = –5 A
    0
    0
    –4
    –8
    –12
    –16
    –20
    0.03
    0.01
    0.005
    –0.1 –0.3
    –1
    –3
    –10
    –30
    100
    栅极至源极电压
    V
    GS
    (V)
    漏电流
    I
    D
    (A)
    Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

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