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2SD768 参数 Datasheet PDF下载

2SD768图片预览
型号: 2SD768
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内容描述: NPN硅外延 [Silicon NPN Epitaxial]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 146 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SD768(K)
典型的输出特性
10
T
C
= 25°C
集电极电流I
C
(A)
8
直流电流传输比H
FE
3,000
10,000
直流电流传输比
与集电极电流
6
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
Ta
1,000
=
°
C
75
4
°
C
25
C
5
°
–2
V
CE
= 3 V
脉冲
2
0.2毫安
I
B
= 0
300
0
3
4
5
1
2
集电极到发射极电压V
CE
(V)
100
0.1
0.3
1.0
3
集电极电流I
C
(A)
10
饱和电压
与集电极电流
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
基极至发射极sauration电压V
BE ( SAT )
(V)
10
10
3
开关时间t(微秒)
V
BE ( SAT )
1.0
I
C
/I
B
= 200
500
500
I
C
/
I
B
=
200
开关时间与集电极电流
T
C
= 25°C
3
t
英镑
t
on
t
f
V
CC
= 30V
I
C
= 500 I
B1
= –500 I
B2
TA = 25°C
1.0
0.3
0.1
0.03
V
CE ( SAT )
0.3
0.1
0.1
1.0
3
0.3
集电极电流I
C
(A)
10
0.01
0.1
0.3
1.0
3
集电极电流I
C
(A)
10