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2SD2101 参数 Datasheet PDF下载

2SD2101图片预览
型号: 2SD2101
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内容描述: 硅NPN三重扩散 [Silicon NPN Triple Diffused]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 7 页 / 146 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SD2101
最大集电极耗散曲线
30
集电极耗散功率PC( W)
20
10
集电极电流I
C
(A)
5
i
C(峰值)
DC
)
s
°
C
1m
25
=
s
m
(T
C
0
=1
PW
ERA
Op
安全工作区
20
2 I
C(最大值)
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
TA = 25°C
1次脉冲
1
10
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
3
10
30
100
300
集电极到发射极电压V
CE
(V)
典型的输出特性
10
T
C
= 25°C
1.6
1.4
1.2
6
1.0
0.8
直流电流传输比
与集电极电流
10,000
直流电流传输比H
FE
2.0
P
C
=
30
集电极电流I
C
(A)
8
1.8
3,000
1,000
300
T
C
=
75
°
C
W
C
5
°
–2
4
0.6
0.4毫安
25°C
100
30
10
0.1
V
CE
= 3 V
2
I
B
= 0
0
1
2
3
4
5
集电极到发射极电压V
CE
(V)
0.3
1.0
3
10
30
集电极电流I
C
(A)
100