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2SD1306 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	2SD1306
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内容描述：	NPN硅外延 [Silicon NPN Epitaxial]
分类和应用：	晶体小信号双极晶体管光电二极管
文件页数/大小：	6 页 / 71 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

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2SD1306

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号

集电极基极击穿电压

V

（ BR ） CBO

集电极到发射极击穿电压

V

（ BR ） CEO

发射极基极击穿电压

V

（ BR ） EBO

收藏家Cuto FF电流

I

CBO

直流电流传输比

h

FE

*

1

基地发射极电压

V

BE

集电极到发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

增益带宽积

f

T

注：1. 2SD1306为h分组

FE

如下。

2.脉冲测试

GRADE

D

E

标志

ND

NE

h

FE

250至500

400至800

民

30

15

5

—

250

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

—

—

250

最大

—

—

—

1.0

800

1.0

0.5

—

单位

V

V

V

µA

V

V

兆赫

测试条件

I

C

= 10

µA,

I

E

= 0

I

C

= 1毫安，R

BE

=

∞

I

E

= 10

µA,

I

C

= 0

V

CB

= 20 V，I

E

= 0

V

CE

= 1 V，I

C

= 150毫安*

2

V

CE

= 1 V，I

C

= 150毫安*

2

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安*

2

V

CE

= 1 V，I

C

= 150毫安*

2

Rev.2.00 2005年8月10日第2页5

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