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    2SD1138 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1138图片预览
    型号： 2SD1138
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅NPN三重扩散 [Silicon NPN Triple Diffused]
    分类和应用： 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 142 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SD1138的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SD1138的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1138的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SD1138的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SD1138的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SD1138的Datasheet PDF文件第7页  
    2SD1138
    绝对最大额定值
    （ TA = 25°C ）
    项
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    集电极电流峰值
    集电极耗散功率
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    C（峰值）
    P
    C
    P
    C
    *
    1
    结温
    储存温度
    注意：
    1.价值在T
    C
    = 25°C.
    Tj
    TSTG
    等级
    200
    150
    6
    2
    5
    1.8
    30
    150
    -45至+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    W
    °C
    °C
    电气特性
    （ TA = 25°C ）
    项
    符号
    民
    150
    6
    —
    60
    60
    —
    —
    —
    典型值
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    20
    最大
    —
    —
    1
    320
    —
    3.0
    1.0
    —
    V
    V
    pF
    单位
    V
    V
    µA
    测试条件
    I
    C
    = 50毫安，R
    BE
    =
    ∞
    I
    E
    = 5毫安，我
    C
    = 0
    V
    CB
    = 120 V，I
    E
    = 0
    V
    CE
    = 4 V，I
    C
    = 50毫安
    V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 500毫安*
    2
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安*
    2
    V
    CB
    = 4 V，I
    C
    = 50毫安
    V
    CB
    = 100 V，I
    E
    = 0中，f = 1 MHz的
    集电极到发射极击穿V
    （ BR ） CEO
    电压
    发射器基极击穿
    电压
    收藏家Cuto FF电流
    直流电流传输比
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    h
    FE1
    *
    1
    h
    FE2
    集电极到发射极饱和
    电压
    基地发射极电压
    集电极输出电容
    注意：
    V
    CE （SAT）
    V
    BE
    COB
    1. 2SD1138用h分组
    FE1
    如下。
    2.脉冲测试。
    C
    100至200
    D
    160到320
    B
    60至120

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