2SD1133 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SD1133
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内容描述：	硅NPN三重扩散 [Silicon NPN Triple Diffused]
分类和应用：	晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小：	6 页 / 141 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SD1133 ， 2SD1134

电气特性

（ TA = 25°C ）

2SD1133

项

收藏家基地

击穿电压

集电极到发射极

击穿电压

发射器基

击穿电压

收藏家Cuto FF电流

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

民

—

典型值

—

最大

—

320

—

2SD1134

民

—

典型值

—

最大

—

320

—

兆赫

单位

µA

测试条件

= 10

µA,

= 0

= 50毫安，R

∞

= 10

µA,

= 0

= 50 V，I

= 0

= 4V我

= 1 A*

= 0.1 A*

= 2 A，I

= 0.2 A*

= 4 V，I

= 1 A*

= 4 V，I

= 0.5 A*

直流电流传输比H

FE1

FE2

集电极到发射极

饱和电压

基地发射极电压

增益带宽积

CE （ SAT ）

注：1. 2SD1133和2SD1134都用h分组

FE1

如下。

2.脉冲测试。

60至120

100至200

160到320

最大集电极耗散

曲线

集电极耗散功率P

(W)

安全工作区

（ 10 V ， 4 A）

CMAX

（连续）

（ 20 V ， 2 A）

ERA

TIO

1.0

= 25°C)

0.5

（ 50 V ， 0.24 A）

（ 60 V ， 0.15 A）

2SD1133

0.05

2SD1134

集电极电流I

(A)

0.2

0.1

100

案例温度T

(°C)

150

50 100

集电极到发射极电压V

(V)

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