欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SC4784 参数 Datasheet PDF下载

2SC4784图片预览
型号: 2SC4784
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅外延 [Silicon NPN Epitaxial]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 214 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
 浏览型号2SC4784的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SC4784的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC4784的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC4784的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SC4784的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SC4784的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SC4784的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2SC4784的Datasheet PDF文件第9页  
2SC4784
S11参数与频率的关系
.6
.4
.2
.6 .8 1.0 1.5 2
3 45
S21参数与频率的关系
90°
120°
3
4
5
10
150°
30°
规模: 4 / DIV 。
60°
.8
1
1.5
2
0
.2
.4
10
180°
–10
–5
–4
–3
–.4
–.6
–.8 –1
–1.5
–2
–120°
–60°
–90°
条件: V
CE
= 5 V ,Z0 = 50
200至2000兆赫( 200兆赫步骤)
(I
C
= 5 mA)的
(I
C
= 10 mA)的
–.2
–150°
–30°
条件: V
CE
= 5 V ,Z0 = 50
200至2000兆赫( 200兆赫步骤)
(I
C
= 5 mA)的
(I
C
= 10 mA)的
S12参数与频率的关系
90°
120°
规模: 0.04 / DIV 。
60°
S22参数与频率的关系
.6
.4
.8
1
1.5
2
3
4
5
10
.2
.4
.6 .8 1.0 1.5 2
3 45
10
150°
30°
.2
180°
0
–10
–.2
–150°
–60°
–90°
–30°
–.4
–2
–.6
–5
–4
–3
–120°
条件: V
CE
= 5 V ,Z0 = 50
200至2000兆赫( 200兆赫步骤)
(I
C
= 5 mA)的
(I
C
= 10 mA)的
–1.5
–.8 –1
条件: V
CE
= 5 V ,Z0 = 50
200至2000兆赫( 200兆赫步骤)
(I
C
= 5 mA)的
(I
C
= 10 mA)的
Rev.3.00 2005年8月10日第4页8