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2SC2979 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC2979
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内容描述: 硅NPN三重扩散 [Silicon NPN Triple Diffused]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
文件页数/大小: 8 页 / 152 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SC2979
电气特性
( TA = 25°C )
集电极到发射极维持
电压
符号
V
CEO ( SUS )
V
CEX ( SUS)的
800
800
典型值
最大
单位
V
V
测试条件
I
C
= 0.2 A,R
BE
=
∞,
L = 100
mH
I
C
= 3 A,I
B1
= 0.9 A,I
B2
= –0.6
A,V
BE
= -5.0 V,L = 180
µH,
I
E
= 10 mA时,我
C
= 0
V
CB
= 750 V,I
E
= 0
V
CE
= 650 V ,R
BE
=
V
CE
= 5 V,I
C
= 0.3 A*
1
V
CE
= 5 V,I
C
= 1.5 A*
1
V
V
µs
µs
µs
I
C
= 1.5 A,I
B1
= 0.3 A,
I
B2
= -0.75 A,V
CC
250 V
I
C
= 0.75 A,I
B
= 0.15 A*
1
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
首席执行官
7
15
7
100
100
1.0
1.5
1.0
3.0
1.0
V
µA
µA
直流电流传输比
h
FE1
h
FE2
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
启动时间
贮存时间
下降时间
注意:
1.脉冲测试
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
t
on
t
英镑
t
f
最大集电极耗散
曲线
60
集电极耗散功率P
C
(W)
10
3
集电极电流I
C
(A)
1.0
0.3
0.1
0.03
40
i
C(峰值)
安全工作区
µ
s
25
µ
s
50
0
µ
s
s
25
ms
0m
1
=1
on
ATI
PW
er
OP 5
°
C
DC = 2
T
C
I
CMAX
(连续)
20
0.01 TA = 25° C, 1次射门
0.003
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
0.001
1
3
10
30
100 300 1,000
集电极到发射极电压V
CE
(V)