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    2SC2735 参数 Datasheet PDF下载

    2SC2735图片预览
    型号： 2SC2735
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延 [Silicon NPN Epitaxial]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 87 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SC2735的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SC2735的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC2735的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SC2735的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SC2735的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SC2735的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SC2735的Datasheet PDF文件第8页  
    2SC2735
    电气特性
    （ TA = 25°C ）
    项
    集电极基极击穿电压
    集电极到发射极击穿电压
    发射极基极击穿电压
    收藏家Cuto FF电流
    集电极到发射极饱和电压
    直流电流传输比
    集电极输出电容
    增益带宽积
    振荡输出电压
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    V
    CE （ SAT ）
    h
    FE
    COB
    f
    T
    V
    OSC1
    V
    OSC2
    转换增益
    CG
    民
    30
    20
    3
    —
    —
    40
    —
    600
    —
    —
    —
    典型值
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    0.85
    1200
    210
    130
    21
    最大
    —
    —
    —
    0.5
    1.0
    —
    1.5
    —
    —
    —
    —
    单位
    V
    V
    V
    µA
    V
    pF
    兆赫
    mV
    mV
    dB
    测试条件
    I
    C
    = 10
    µA,
    I
    E
    = 0
    I
    C
    = 1毫安，R
    BE
    =
    ∞
    I
    E
    = 10
    µA,
    I
    C
    = 0
    V
    CB
    = 10 V，I
    C
    = 0
    I
    C
    = 20 mA时，我
    B
    = 4毫安
    V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 10毫安
    V
    CB
    = 10 V，I
    E
    = 0中，f = 1 MHz的
    V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 10毫安
    V
    CC
    = 12 V，I
    C
    = 7毫安，
    f
    OSC
    = 300 MHz的
    V
    CC
    = 12 V，I
    C
    = 7毫安，
    f
    OSC
    = 930兆赫
    V
    CC
    = 12 V，I
    C
    = 2毫安，
    F = 200兆赫，
    f
    OSC
    = 230兆赫（为0dBm ）
    V
    CC
    = 12 V，I
    C
    = 2毫安，
    F = 200兆赫，
    f
    OSC
    = 230兆赫（为0dBm ）
    噪声系数
    NF
    —
    6.5
    —
    dB
    Rev.2.00 2005年8月10日第2 7

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